国产存储开始补齐最后一块缺口
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国产存储在发展进程中不断突破，正逐步补齐最后一块缺口，这主要体现在机械硬盘（HDD）领域的进展以及存储全产业链的完善等方面：
机械硬盘领域的突破
在整个中国 IT 全产业链里，机械硬盘（HDD）是至今唯一没有实现完全自主国产化的核心存储器件。此前，华为被制裁后，美国商务部借机重罚向华为供货 HDD 的希捷，切断了华为从主流国际 HDD 供应商处稳定采购的途径，凸显了国产机械硬盘自主化的重要性。
伴随数据中心和人工智能基础设施建设加快，机械硬盘的供应安全和技术自主问题受到更多关注。而且，机械硬盘的市场需求并未萎缩，反而因 AI 大模型训练、4K/8K 高清监控、物联网与自动驾驶数据留存、金融医疗政企的档案级数据归档等对大容量、低成本、高可靠性的长期存储需求而不断增长。全球上游供应链的扩产动作也印证了 HDD 市场的增长预期，这也为国产机械硬盘的发展提供了机遇，促使国产存储在这一领域加快补齐短板。
全产业链的完善
上游：沪硅产业、雅克科技等企业打破了硅片、前驱体等核心材料的海外垄断，北方华创、中微公司的刻蚀、离子注入设备实现关键突破，为国产存储制造筑牢了根基。
中游：兆易创新、澜起科技等设计企业在利基市场站稳脚跟，中芯国际、华虹公司的代工产能持续释放，长电科技、深科技的先进封测技术不断突破，形成了设计 - 制造 - 封测的完整闭环。
下游：江波龙、佰维存储的存储模组在消费电子、汽车电子领域加速渗透，国产服务器、AI 设备的存储方案也逐步实现自主可控。
典型企业的成果
长江存储：独创 Xtacking 架构，凭借自主核心技术，实现 300 层 3D NAND 闪存稳定量产，以原创技术绕开海外专利封锁，站稳全球一流技术梯队。2026 年一季度，长江存储单季营收突破 200 亿元，全球 NAND 闪存市占率跨过 10% 大关。其 232 层 NAND 闪存实现量产，294 层技术也已进入验证阶段，直追国际先进水平。
长鑫存储：攻坚克难，实现 15nm DRAM 成熟量产，高端 DDR5、LPDDR5 产品成功商用，高端 AI 存储芯片实现从 0 到 1 的突破，补齐国产算力硬件短板。其 DRAM 产品全球份额突破 5%，DDR5 内存速率达到 8000Mbps，国产 PC 市占率超 30%。公司计划募资 295 亿元投建新产线，目标在 2027 年实现 DRAM 产能翻倍。
国产存储通过在各方面的努力和突破，正不断补齐发展中的缺口，逐步实现存储产业的自主可控和全面发展。